NDS8425 PDF资料 仙童 SOP-8 N沟道 增强型场效应晶体管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-6-12 | 浏览次数:
NDS8425 PDF资料 仙童 SOP-8 N沟道 增强型场效应晶体管
NDS8425型号 | NDS8425品牌 | NDS8425封装 | NDS8425年份 | NDS8425备注 |
NDS8425 | 仙童 | SOP-8 | 17+ | 原装正品 |
TC4423CPA 18V3A DIP-8 MICROCHIP 栅极驱动器 逻辑IC
NDS8425的特征:
7.4 A,20 V.
RDS(ON)=0.022Ω@ VGS = 4.5V
RDS(ON)=0.028Ω@ VGS = 2.7V
快速切换速度
低栅极电荷(典型值11nC)
高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
在广泛使用的表面安装封装中具有高功率和电流处理能力
NDS8425功能图:
NDS8425概述:
该N沟道2.5V专用MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟道工艺生产,
该工艺专门针对最小化导通电阻并保持低栅极电荷以实现卓越的开关性能。
这些器件的设计旨在以非常小的封装提供出色的功耗。
NDS8425应用:
DC / DC转换器
负载开关
NDS8425绝对最大额定值TA = 25oC除非另有说明:
NDS8425热特性:
NDS8425包装标记和订购信息:
NDS8425包装及编带说明:
NDS8425封装说明:
NDS8425同系列产品:
NDS8425 | 74AC08SCX | FDN5618P | 74LCX125MX | FDMS7660 |
74AC273SCX | FDD8796 | FDD5680 | FDS4953 | FDS3672 |
FDD5612 | FDS6576 | FDS6572A | FDS6572 | FDS6575 |
FDS6574A | FDS4897 | NDS8425 | NDS8928 | FDS6682 |
FDS6680A | FDS6680S | FDS8876 | FDS8878 | FDS8870 |
NDS8425广泛用于:
NDS8425一般信息
数据列表
NDS8425;
标准包装
2,500
包装
标准卷带
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
PowerTrench®
NDS8425规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
18nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1098pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
22 毫欧 @ 7.4A,4.5V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
QQ:1144020760
手机:13670040425
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