FDB088N08 N沟道PowerTrench®MOSFET 75V 85A 8.8mΩ
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-10-11 | 浏览次数:
FDB088N08 N沟道PowerTrench®MOSFET 75V 85A 8.8mΩ
型号 | 品牌 | 封装 | 年份 | 数量 |
FDB088N08 | 仙童 | TO-263 | 18+ | 50000 |
贴片 FDB035N10A 晶体管 FET MOSFET管 TO-263
FDB088N08描述:
该N沟道MOSFET采用Fairchild Semicon-生产
ductor的高级PowerTrench流程经过特别定制
最小化通态电阻,同时保持卓越的开关性能。
FDB088N08应用:
直流到直流转换器/同步整流
FDB088N08特征:
RDS(on)=7.3mΩ(典型值)@VGS = 10V,ID = 75A
快速切换SpeedLow门电荷
高性能沟槽技术
极低RDS(上)的技术
高功率和电流处理能力
符合RoHS标准
绝对最大额定值TC = 25oC,除非另有说明*
机械尺寸
瞬态热响应曲线
商标
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