FDP33N25 N沟道 250V 33A 优势MOS场效应管 TO-220
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-9-17 | 浏览次数:
FDP33N25 N沟道 250V 33A 优势MOS场效应管 TO-220
FDP33N25型号 | FDP33N25品牌 | FDP33N25封装 | FDP33N25年份 | FDP33N25数量 |
FDP33N25 | 仙童 | TO-220 | 18+ | 100000 |
TLP754 反相器逻辑输出 光电耦合器 高速光耦合器 插件光耦DIP8 全新原装
FDP33N25
MOSFET是费尔柴尔德半导体公司的高电压MOSFET家族
同系列产品
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广泛应用于
一般信息
数据列表
FDP33N25;
TO220B03 Pkg Drawing;
标准包装
1,000
包装
管件
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
UniFET™
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
94 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
48nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2135pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
235W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:陈静萍
电话:0755-23940365
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