FDB2614 N沟道 150V 4A 29A 优势MOS场效应管 TO-263
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-9-18 | 浏览次数:
FDB2614 N沟道 150V 4A 29A 优势MOS场效应管 TO-263
型号 | 品牌 | 年份 | 封装 | 数量 |
FDB2614 | 仙童 | 18+ | TO-263 | 10000 |
FDB2572 N沟道 150V 4A 29A 优势MOS场效应管 TO-263
FDB2614一般说明
这款N沟道MOSFET采用Fairchild Semicon-生产
ductor先进的PowerTrench®工艺,经过精心设计,
可最大限度地降低通态电阻,同时保持卓越的开关性能。
FDB2614应用
•同步整流
•电池保护电路
•电机驱动器和不间断电源
FDB2614的特征
RDS(on)=22.9mΩ(典型值)
@ VGS = 10 V,ID = 31 A.
低栅极电荷
高性能沟槽技术,适用于极低温度
RDS(on)高功率和电流处理能力
FDB2614的封装说明
FDB2614绝对最大额定值
FDB2614同系列产品
FDB15N50 | FDB3652 | FDB3632 | FDB120N10 | FDB44N25 |
FDB088N08 | FQB44N10 | FQB27N25 | FDB024N06 | FQB8N60C |
FDB075N15A | FDB024N06 | FDB035N10A | FQB55N10 | FDB8860 |
FDB031N08 | FQB50N06 | FQB34N20 | FQB33N10 | FQB30N06 |
FQB4N80 | FDB3682 | FDB2532 | FCP36N60N | FDB38N30U |
FDB2614广泛应用于
一般信息
数据列表
FDB2614;
标准包装
800
包装
标准卷带
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
PowerTrench®
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
62A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
27 毫欧 @ 31A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
99nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7230pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
260W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D²PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:陈静萍
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
企业QQ:3007014622
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