原装正品 FQB55N10 N 沟道 100V 55A 封装TO-263
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-10-10 | 浏览次数:
原装正品 FQB55N10 N 沟道 100V 55A 封装TO-263
型号 | 品牌 | 封装 | 年份 | 数量 |
FQB55N10 | 仙童 | TO-263 | 18+ | 50000 |
FDB8860 仙童 TO-263封装 30V N沟道逻辑电平 MOS管
FQB55N10一般说明:
这些N通道增强模式的功率场效应
晶体管采用飞兆半导体的专有产品,
平面条纹,DMOS技术。
这项先进技术特别适合
最小化通态电阻,提供卓越的开关性能,
并且在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。
这些器件非常适合低压应用,如音频放大器,
高效开关DC / DC转换器和直流电机控制。
FQB55N10特征:
55A,100V,RDS(on)=0.026Ω@VGS=10V.
低栅极电荷(典型值75 nC)
低Crss(典型值130 pF)
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv / dt能力175°
C最高结温额定值
栅极充电测试电路和波形
机械尺寸
除非另有说明,绝对最大额定值TC = 25°C
瞬态热响应曲线
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