集成电路IC 原装正品 FQB44N10 晶体管 FET MOSFET 管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-10-10 | 浏览次数:
集成电路IC 原装正品 FQB27N25 晶体管 FET MOSFET 管
型号 | 品牌 | 封装 | 年份 | 数量 |
FQB44N10 | 仙童 | TO-263 | 18+ | 50000 |
原装正品 FQB55N10 N 沟道 100V 55A 封装TO-263
FQB44N10一般说明:
这些N通道增强模式的功率场效应
晶体管采用飞兆半导体的专有产品,
平面条纹,DMOS技术。
这项先进技术特别适合
最小化通态电阻,提供卓越的开关性能,
并且在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。
这些器件非常适合低压应用,如音频放大器,
高效开关DC / DC转换器和直流电机控制。
FQB44N10特征:
43.5A,100V,RDS(on)=0.039ΩVGS= 10 V.
低栅极电荷(典型值48 nC)
低Crss(典型值85 pF)
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv / dt能力175°
C最高结温额定值
除非另有说明,绝对最大额定值TC = 25°C
未钳位的感应开关测试电路和波形
包装尺寸
峰值二极管恢复dv / dt测试电路和波形
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