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AOB2918L 100V13A TO263 AOS美国万代 N沟道 功率MOS管
来源:轩嘉盛电子 | 发布时间:2018-3-14 14:31:23 | 浏览次数: |
型号:AOB2918L 100V13A TO263 AOS美国万代 N沟道 功率MOS管
品牌:AOS/美国万代
封装:TO263
年份:17+
数量:3000PCS
备注:3000PCS
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详细介绍:
AOB2918L 100V13A TO263 AOS美国万代 N沟道 功率MOS管
AOB2918L型号 |
AOB2918L品牌 |
AOB2918L封装 |
AOB2918L年份 |
AOB2918L数量 |
AOB2918L备注 |
AOB2918L |
AOS美国万代 |
TO263 |
17+ |
3000PCS |
全新原装现货 |
一般信息
规格
FET 类型 |
N 沟道 |
技术 |
MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) |
100V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) |
13A(Ta),90A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) |
10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) |
3.9V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) |
53nC |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs |
10V |
Vgs(最大值) |
±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) |
3430pF |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds |
50V |
FET 功能 |
- |
功率耗散(最大值) |
2.1W(Ta),267W(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) |
7 毫欧 @ 20A,10V |
工作温度 |
-55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 |
表面贴装 |
供应商器件封装 |
TO-263(D²Pak) |
封装/外壳 |
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
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