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AON5820 20V10A 2N沟道 功率MOS管 AOS美国万代 场效应管
来源:轩嘉盛电子 | 发布时间:2018-3-14 14:37:56 | 浏览次数: |
型号:AON5820 20V10A 2N沟道 功率MOS管 AOS美国万代 场效应管
品牌:AOS/美国万代
封装:DFN/6
年份:17+
数量:20000pcs
备注:20000pcs
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详细介绍:
AON5820 20V10A 2N沟道 功率MOS管 AOS美国万代 场效应管
AON5820型号 |
AON5820品牌 |
AON5820封装 |
AON5820年份 |
AON5820数量 |
AON5820备注 |
AON5820 |
AOS美国万代 |
DFN-6 |
17+ |
20000PCS |
全新原装现货 |
一般信息
规格
FET 类型 |
2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能 |
逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) |
20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) |
10A |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) |
9.5 毫欧 @ 10A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) |
1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) |
15nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) |
1510pF @ 10V |
功率 - 最大值 |
1.7W |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 |
表面贴装 |
封装/外壳 |
6-SMD,扁平引线裸焊盘 |
供应商器件封装 |
6-DFN-EP(2x5) |
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