IRFR13N15DTRPBF 150V14A TO252 N沟道功率MOS管 IR整流器

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IRFR13N15DTRPBF 150V14A TO252 N沟道功率MOS管 IR整流器

来源:轩嘉盛电子 | 发布时间:2018-3-21 14:06:48 | 浏览次数：

型号：IRFR13N15DTRPBF 150V14A TO252 N沟道功率MOS管 IR整流器

品牌：IR/整流器

封装：TO252

年份：17+

数量：5000PCS

备注：5000PCS

详细介绍：

IRFR13N15DTRPBF 150V14A TO252 N沟道功率MOS管 IR整流器

IRFR13N15DTRPBF型号	IRFR13N15DTRPBF品牌	IRFR13N15DTRPBF封装	IRFR13N15DTRPBF年份	IRFR13N15DTRPBF数量	IRFR13N15DTRPBF备注
IRFR13N15DTRPBF	IR整流器	TO252	17+	5000PCS	全新原装现货

一般信息

数据列表	IRF(R,U)13N15DPbF;
标准包装	2,000
零件状态	在售
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	HEXFET®

规格

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	29nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	620pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	86W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	180 毫欧 @ 8.3A，10V
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	D-Pak
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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