IRFB7437PBF 195A40V TO220 N沟道功率MOS管 IR/整流器

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IRFB7437PBF 195A40V TO220 N沟道功率MOS管 IR/整流器

来源:轩嘉盛电子 | 发布时间:2018-3-21 13:59:05 | 浏览次数：

型号：IRFB7437PBF 195A40V TO220 N沟道功率MOS管 IR/整流器

品牌：IR/整流器

封装：TO220

年份：17+

数量：5000pcs

备注：5000pcs

详细介绍：

IRFB7437PBF 195A40V TO220 N沟道功率MOS管 IR/整流器

IRFB7437PBF型号	IRFB7437PBF品牌	IRFB7437PBF封装	IRFB7437PBF年份	IRFB7437PBF数量	IRFB7437PBF备注
IRFB7437PBF	IR整流器	TO220	17+	5000pcs	全新原装现货

一般信息

数据列表	IRFB7437PBF;
标准包装	1,000
零件状态	在售
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	HEXFET®，StrongIRFET™

规格

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	225nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7330pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	230W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	2 毫欧 @ 100A，10V
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3

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