FQB22P10 FAIRCHILD仙童100V22V N沟道 功率MOS管 D2PAK(TO-263AB)
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-5-11 | 浏览次数:
FQB22P10 FAIRCHILD仙童100V22V N沟道 功率MOS管 D²PAK(TO-263AB)
FQB22P10型号 | FQB22P10品牌 | FQB22P10封装 | FQB22P10备注 |
FQB22P10 | FAIRCHILD | TO263 | 全新原装正品 |
STB120N4LF6 40V80A N沟道 功率MOS管 TO263 ST意法
FQB22P10的一般描述:
这些P沟道增强型功率场效应晶体管
采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术生产。
这种先进技术专门用于降低通态电阻,
提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
这些器件非常适合低电压应用,如音频放大器,
高效开关DC / DC转换器和直流电机控制。
FQB22P10的绝对最大额定值 除非另有说明,TC = 25°C
FQB22P10的特征:
•-22A,-100V,RDS(on)=0.125Ω@ VGS = -10 V.
•低门电荷(典型值40 nC)
•低Crss(典型值160 pF)
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进的dv / dt能力
•最高结温为175°
包装说明
产品详细信息
汽车 P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
产品技术参数
Attribute | Value |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 22 A |
最大漏源电压 | 100 V |
最大漏源电阻值 | 125 mΩ |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
封装类型 | D2PAK (TO-263) |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
最大功率耗散 | 3.75 W |
典型栅极电荷@Vgs | 40 nC @ 10 V |
高度 | 4.83mm |
长度 | 10.67mm |
最高工作温度 | +175 °C |
典型输入电容值@Vds | 1170 pF@ 25 V |
尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
典型关断延迟时间 | 60 ns |
晶体管材料 | Si |
典型接通延迟时间 | 17 ns |
宽度 | 9.65mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
最低工作温度 | -55 °C |
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