FQD13N06L FAIRCHILD/仙童 11A/60V N沟道 TO-252 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-24 | 浏览次数:
FQD13N06L FAIRCHILD/仙童 11A/60V N沟道 TO-252 MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FQD13N06L | FAIRCHILD/仙童 | TO-252 | 原装进口 |
FQA11N90C 场效应管 900V/11A N沟道 TO-247 MOS管PDF
FQD13N06L的图片:
FQD13N06L的概述:
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的,
平面条形,工艺技术制造。
这种先进的技术已特别针对以尽量减少对通态电阻,
提供出色的开关性能,经受住了在雪崩和减刑模式高能量脉冲。
这些装置非常适用于低电压应用,如汽车,直流/直流转换器,
和高效率在便携式和电池供电的产品的电源开关管理。
FQD13N06L的特征:
11A,60V,RDS(ON)=0.115Ω@VGS=10 V
低栅极电荷(典型值4.8 NC)
低CRSS(典型17 pF)的
快速开关
100%雪崩测试
改进dv/ dt能力
175°C最高结温额定值
FQD13N06LFeatures:
11A, 60V, RDS(on) = 0.115Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 4.8 nC)
Low Crss ( typical 17 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
175°C maximum junction temperature rating
绝对最大额定值TC= 25°C除非另有说明:
一般信息
数据列表
D-PAK Tape and Reel Data
FQD13N06L, FQU13N06L
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
QFET®
其它名称
FQD13N06LTM-ND
FQD13N06LTMTR
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
115 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
6.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
350pF @ 25V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252-3
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
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