STB20NM50 TO-263 STB20NM50 N沟道 ST/意法 集成电路 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-7 | 浏览次数:
STB20NM50 TO-263 STB20NM50 N沟道 ST/意法 集成电路 MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
STB20NM50 | ST/意法 | TO-263 | 原装正品 |
IRFZ48NPBF N沟道场效应管 IRFZ48N TO-220 原装MOS管
STB20NM50的图片:
STB20NM50的特征:
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
100% AVALANCHE TESTED
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE
LOW GATE INPUT RESISTANCE
STB20NM50的概述:
该 MDmesh™是一个新的革命MOSFET技术,
与关联公司的PowerMESH™水平布局多重排水过程。
所得到的产品具有导通电阻,
赫然高dv/ dt和雪崩方位的特点和动态性能杰出的低。
STB20NM50的应用:
该 MDmesh™系列非常适合高增加电压转换器的功率密度允许系统的小型化和她的效率
一般信息
数据列表
STB20NM50(-1), STP20NM50(FP)
标准包装
1,000
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
MDmesh™
其它名称
497-5312-2
Q1966796
STB20NM50T4-ND
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
550V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
250 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1480pF @ 25V
功率 - 最大值
192W
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
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