FDD8876 TO-252 仙童 30V/15A 功率MOS管 FDD8876 PDF资料
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-5-27 | 浏览次数:
FDD8876 TO-252 仙童 30V/15A 功率MOS管 FDD8876 PDF资料
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FDD8876 | 仙童 | TO-252 | 16+ | 原装正品 |
IRFR9020 IR/整流器 TO-252 50V/9.9A PDF资料 场效应管 功率MOS管
FDD8876的特征:
•rDS(ON)=8.2mΩ,VGS = 10V,ID = 35A
•rDS(ON)=10mΩ,VGS = 4.5V,ID = 35A
•高性能沟槽技术,极低的rDS(ON)
•低栅极电荷
•高功率和电流处理能力
•符合RoHS标准
FDD8876的概述:
该N沟道MOSFET专门设计用于提高使用同步或常规开关
PWM控制器的DC / DC转换器的整体效率。
它已经针对低栅极电荷,
低rDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been
optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
FDD8876的应用:
DC / DC转换器
FDD8876的MOSFET最大额定值TC = 25°C,除非另有说明:
FDD8876的热特性:
FDD8876的封装说明:
FDD8876的同系列产品:
FDD8876 | FDD8878 | FDD8880 | FQD10N20 | FQD11P06 |
FQD12P10 | FQD13N06L | FQD17N08 | FQD19N10 | FQD1N60 |
FQD1N80 | FQD1P50 | FQD2N50 | FQD2N60C | FQD2N80 |
FQD2N90 | FQD3P50 | FQD4N20 | FQD4P40 | FQD5N15 |
FQD5N20L | FQD5N30 | FQD5P10 | FQD5P20 | FQD6N25 |
电子产品广泛用于:
FDD8876的一般信息
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FDD8876的规格
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